2N4401_D11Z

2N4401, 2N4401,116, 2N4401-AP, 2N4401BU, 2N4401_D11Z, 2N4401_D81Z, 2N4401DI, 2N4401G, 2N4401_J05Z, 2N4401_J18Z, 2N4401_J25Z, 2N4401_J60Z, 2N4401_J61Z, 2N4401NLBU, 2N4401RLRA, 2N4401RLRAG, 2N4401RLRM, 2N4401RLRMG, 2N4401RLRPG, 2N4401_S00Z, 2N4401T93, 2N4401TA, 2N4401TAR, 2N4401TF, 2N4401TFR

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

Параметр		2N4401,116	2N4401-AP	2N4401BU	2N4401_D11Z	2N4401_D81Z	2N4401DI	2N4401G	2N4401_J05Z	2N4401_J18Z	2N4401_J25Z	2N4401_J60Z	2N4401_J61Z	2N4401NLBU	2N4401RLRA	2N4401RLRAG	2N4401RLRM	2N4401RLRMG	2N4401RLRPG	2N4401_S00Z	2N4401T93	2N4401TA	2N4401TAR	2N4401TF	2N4401TFR
Корпус мікросхеми	Корпус	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Виробник	Виробник	NXP Semiconductors	Micro Commercial Co	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Diodes Inc	ON Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Rohm Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему	Монтаж	Крізь отвір
Постійний струм колектора транзистора	I_C	<600 мА	<500 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера	U_CEO	<40 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора	P_C	<630 мВт	<600 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора	hFE	>40Ic, Vce = 1mA, 1V	>100Ic, Vce = 150mA, 1V	>100Ic, Vce = 150mA, 1V	>100Ic, Vce = 150mA, 1V	>100Ic, Vce = 150mA, 1V	>100Ic, Vce = 150mA, 1V	>100Ic, Vce = 150mA, 1V	>100Ic, Vce = 150mA, 1V	>100Ic, Vce = 150mA, 1V	>100Ic, Vce = 150mA, 1V	>100Ic, Vce = 150mA, 1V	>100Ic, Vce = 150mA, 1V	>100Ic, Vce = 150mA, 1V	>100Ic, Vce = 150mA, 1V	>100Ic, Vce = 150mA, 1V	>100Ic, Vce = 150mA, 1V	>100Ic, Vce = 150mA, 1V	>100Ic, Vce = 150mA, 1V	>100Ic, Vce = 150mA, 1V	>100Ic, Vce = 150mA, 1V	>100Ic, Vce = 150mA, 1V	>100Ic, Vce = 150mA, 1V	>100Ic, Vce = 150mA, 1V	>100Ic, Vce = 150mA, 1V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора	U_CE-sat	<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<750 мВIb, Ic = 50mA, 500mA	<750 мВIb, Ic = 50mA, 500mA	<750 мВIb, Ic = 50mA, 500mA	<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<750 мВIb, Ic = 50mA, 500mA	<750 мВIb, Ic = 50mA, 500mA	<750 мВIb, Ic = 50mA, 500mA	<750 мВIb, Ic = 50mA, 500mA	<750 мВIb, Ic = 50mA, 500mA	<750 мВIb, Ic = 50mA, 500mA	<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<750 мВIb, Ic = 50mA, 500mA	<750 мВIb, Ic = 50mA, 500mA	<750 мВIb, Ic = 50mA, 500mA	<750 мВIb, Ic = 50mA, 500mA	<750 мВIb, Ic = 50mA, 500mA	<750 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора	f_h21	<250 МГц
Структура біполярного транзистора	Структура	NPN
Струм відсічення колектора	I_frc	(не задано)	<100 нА	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	<100 нА	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	<100 нА	<100 нА	<100 нА	<100 нА	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)