На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | 2N2102 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-39-3, TO-205AD, Металлическая банка |
Виробник | Виробник | STMicroelectronics |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <1 А |
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <65 В |
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <1 Вт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >40Ic, Vce = 150mA, 10V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <550 мВIb, Ic = 150mA, 15mA |
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN |