2DB1714

2DB1714, 2DB1714-13

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

Параметр2DB1714-13
Корпус мікросхеми
Корпус
SOT-89-3
Виробник
Виробник
Diodes Inc
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<2 А
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<30 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<900 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>270Ic, Vce = 200mA, 2V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<370 мВIb, Ic = 75mA, 1.5A
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<200 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
PNP