На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | 2DB1132P-13 | 2DB1132Q-13 | 2DB1132R-13 | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-89-3, TO-243-3 | ||
Виробник | Виробник | Diodes Inc | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <1 А | ||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <32 В | ||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <1 Вт | ||
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >82Ic, Vce = 100mA, 3V | >120Ic, Vce = 100mA, 3V | >180Ic, Vce = 100mA, 3V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <500 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | ||
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <190 МГц | ||
Структура біполярного транзистора | Структура | PNP | ||