На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | 2DB1119S-13 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-89-3, TO-243-3 |
Виробник | Виробник | Diodes Inc |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <1 А |
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <25 В |
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <1 Вт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >140Ic, Vce = 50mA, 2V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <200 МГц |
Структура біполярного транзистора | Структура | PNP |