На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | PMBFJ620,115 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 |
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Потужність | P | <190 мВт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | <5 пФVds = 10V |
Напруга відсічення | U0 | 2 ВId = 1µA |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <25 В |
Постійний струм стоку | IDSS | >24 мАmin.: Vgs=0; Vds=10V |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <50 Ом |
Напруга пробою затвор-витік | VBRGSS | >25 В |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 |