На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | MMBF5458 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 |
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Потужність | P | <350 мВт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | <7 пФVds = 15V |
Напруга відсічення | U0 | 1 ВId = 10nA |
Постійний струм стоку | IDSS | >2 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch |
Напруга пробою затвор-витік | VBRGSS | >25 В |