На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | MMBF5457LT1 | MMBF5457LT1G | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | |
Виробник | Виробник | ON Semiconductor | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <225 мВт | |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | <7 пФVds = 15V | |
Напруга відсічення | U0 | 500 мВId = 10nA | |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <25 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | >1 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Напруга пробою затвор-витік | VBRGSS | >25 В | |