На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | MMBF4392LT1 | MMBF4392LT1G | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | |
Виробник | Виробник | ON Semiconductor | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <225 мВт | |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | <14 пФVds = 15V | |
Напруга відсічення | U0 | 2 ВId = 10nA | |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | >25 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <60 Ом | |
Напруга пробою затвор-витік | VBRGSS | >30 В | |