J175_D26Z

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметр		J175,116	J175_D26Z	J175_D27Z	J175_D74Z	J175_D75Z
Корпус мікросхеми	Корпус	TO-92-3 (Standard Body), TO-226, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Виробник	Виробник	NXP Semiconductors
Тип монтажу компонента на плату чи в схему	Монтаж	Крізь отвір
Потужність	P	<400 мВт	<350 мВт	<350 мВт	<350 мВт	<350 мВт
Вхідна ємність польового транзистора	C₁₁	<8 пФVds = 10V (VGS)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)
Напруга відсічення	U₀	3 ВId = 10nA
Постійна напруга між стоком та витоком	U_DSS	<30 В	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)
Постійний струм стоку	I_DSS	>7 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
Тип каналу польового транзистора	Канал	P-ch
Опір каналу у відкритому стані	R_DS-ON	<125 Ом
Напруга пробою затвор-витік	V_BRGSS	>30 В