J112

J112, J112,126, J112_D11Z, J112_D26Z, J112_D27Z, J112_D74Z, J112G, J112RL1, J112RL1G, J112RLRA, J112RLRAG

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрJ112,126J112_D11ZJ112_D26ZJ112_D27ZJ112_D74ZJ112GJ112RL1J112RL1GJ112RLRAJ112RLRAG
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Виробник
Виробник
NXP SemiconductorsFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвір
Потужність
P
<400 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<350 мВт<350 мВт<350 мВт<350 мВт<350 мВт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
<6 пФVds = 10V (VGS)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)
Напруга відсічення
U0
1 ВId = 1µA
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<40 В(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)
Постійний струм стоку
IDSS
>5 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<50 Ом
Напруга пробою затвор-витік
VBRGSS
>40 В>35 В>35 В>35 В>35 В>35 В>35 В>35 В>35 В>35 В