На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | J109,126 | J109_D26Z | J109_D27Z | J109_D74Z | J109_D75Z | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | ||||
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors | ||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | ||||
Потужність | P | <400 мВт | <625 мВт | <625 мВт | <625 мВт | <625 мВт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | <30 пФVds = 10V (VGS) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) |
Напруга відсічення | U0 | 2 ВId = 1µA | ||||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <25 В | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) |
Постійний струм стоку | IDSS | >80 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V | >40 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V | >40 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V | >40 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V | >40 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <12 Ом | ||||
Напруга пробою затвор-витік | VBRGSS | >25 В | ||||