На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BFR30,215 | BFR30LT1 | BFR30LT1G | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | ||
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors | ON Semiconductor | ON Semiconductor |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||
Потужність | P | <250 мВт | <225 мВт | <225 мВт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | <4 пФVds = 10V | <5 пФVds = 10V | <5 пФVds = 10V |
Напруга відсічення | U0 | 5 ВId = 0.5nA | ||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <25 В | ||
Постійний струм стоку | IDSS | 4 мА ~ 10 мАmin.: Vgs=0; Vds=10V | >4 мАmin.: Vgs=0; Vds=10V | >4 мАmin.: Vgs=0; Vds=10V |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||