На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | 2N6027G | 2N6027RL1 | 2N6027RL1G | 2N6027RLRA | 2N6027RLRAG | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-92-3, TO-226 | ||||
Виробник | Виробник | ONSemiconductor | ||||
Потужність | P | <300 мВт | ||||
Вихідна напруга | Uout | <11 В | ||||
Напруга зміщення | Vt | 1.6 В | ||||
Gate to Anode Leakage | Igao | 10 нА | ||||
Valley current | Iv | 50 мкА | ||||
Peak current | Ipeak | 2 мкА | ||||