MMBZ5230

MMBZ5230, MMBZ5230B, MMBZ5230B-7, MMBZ5230B-7-F, MMBZ5230BLT1, MMBZ5230BLT1G, MMBZ5230BLT3G, MMBZ5230BT-7-F, MMBZ5230BW-7, MMBZ5230BW-7-F, MMBZ5230ELT1, MMBZ5230ELT1G, MMBZ5230ELT3G

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрMMBZ5230BMMBZ5230B-7MMBZ5230B-7-FMMBZ5230BLT1MMBZ5230BLT1GMMBZ5230BLT3GMMBZ5230BT-7-FMMBZ5230BW-7MMBZ5230BW-7-FMMBZ5230ELT1MMBZ5230ELT1GMMBZ5230ELT3G
Корпус мікросхеми
Корпус
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-523SC-70-3, SOT-323-3SC-70-3, SOT-323-3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Виробник
Виробник
Fairchild SemiconductorDiodes IncDiodes IncON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorDiodes IncDiodes IncDiodes IncON SemiconductorON SemiconductorON Semiconductor
Пряма напруга
UF
900 мВIf = 10mA
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<350 мВт<350 мВт<350 мВт<225 мВт<225 мВт<225 мВт<150 мВт<200 мВт<200 мВт<225 мВт<225 мВт<225 мВт
Напруга стабілізації
Ust
4.7 В
Діференційний опір стабілітрона
Rst
19 Ом