На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | MB4M-E3/45 | MB4S | MB4S-E3/45 | MB4S-E3/80 | MB4S-TP | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 4-DIP (500 mil) | MBS-1, 4-SOIC | TO-269AA (MBS) | TO-269AA (MBS) | MBS-1, 4-SOIC |
Виробник | Виробник | Vishay/General Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Vishay/General Semiconductor | Vishay/General Semiconductor | Micro Commercial Co |
Зворотна напруга | UR | <400 В | ||||
Прямий струм | IF | <500 мА | ||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий |
Технологія діода | Технологія | Single Phase | ||||
Клас швидкості діода | Швидкість | Standard Recovery >500ns | ||||