На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | MB2M-E3/45 | MB2S | MB2S-E3/45 | MB2S-E3/80 | MB2S-TP | MB2S/1 | MB2S45 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 4-DIP (500 mil) | MBS-1, 4-SOIC | TO-269AA (MBS) | TO-269AA (MBS) | MBS-1, 4-SOIC | TO-269AA (MBS) | TO-269AA (MBS) |
Виробник | Виробник | Vishay/General Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Vishay/General Semiconductor | Vishay/General Semiconductor | Micro Commercial Co | Vishay/General Semiconductor | Vishay/General Semiconductor |
Зворотна напруга | UR | <200 В | ||||||
Прямий струм | IF | <500 мА | ||||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий |
Технологія діода | Технологія | Single Phase | ||||||
Клас швидкості діода | Швидкість | Standard Recovery >500ns | ||||||