На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | GBPC3508-E4/51 | GBPC3508-G | GBPC3508/1 | GBPC3508A | GBPC3508W | GBPC3508W-E4/51 | GBPC3508W-G | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | GBPC, GBPC | GBPC, GBPC | GBPC, GBPC | GBPC, GBPC-A | GBPC, GBPC-W | GBPC, GBPC-W | GBPC, GBPC-W |
Виробник | Виробник | Vishay/General Semiconductor | Comchip Technology | Vishay/General Semiconductor | Vishay/Semiconductors | Diodes Inc | Vishay/General Semiconductor | Comchip Technology |
Зворотна напруга | UR | <800 В | ||||||
Прямий струм | IF | <35 А | ||||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | QC Terminal | QC Terminal | QC Terminal | QC Terminal | Крізь отвір | Крізь отвір | Крізь отвір |
Технологія діода | Технологія | Single Phase | ||||||
Клас швидкості діода | Швидкість | Standard Recovery >500ns | ||||||