На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | 4GBL12 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 4-SIP, GBL |
Виробник | Виробник | Vishay/Semiconductors |
Зворотна напруга | UR | <1.2 кВ |
Прямий струм | IF | <4 А |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір |
Технологія діода | Технологія | Single Phase |
Клас швидкості діода | Швидкість | Standard Recovery >500ns |