На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | B80C800DM-E3/45 | B80C800G-E4/51 | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 6-DIP (300 mil, 4 Leads), DFM | WOG |
Виробник | Виробник | Vishay/General Semiconductor | |
Зворотна напруга | UR | <125 В | |
Прямий струм | IF | <900 мА | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | |
Технологія діода | Технологія | Single Phase | |
Клас швидкості діода | Швидкість | Standard Recovery >500ns | |