На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | B80C1000G-E4/51 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | WOG |
Виробник | Виробник | Vishay/General Semiconductor |
Зворотна напруга | UR | <125 В |
Прямий струм | IF | <1 А |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір |
Технологія діода | Технологія | Single Phase |
Клас швидкості діода | Швидкість | Standard Recovery >500ns |