На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | B6M-E3/45 | B6S-E3/80 | B6S-G | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 4-DIP (500 mil) | TO-269AA (MBS) | MBS-1, 4-SOIC |
Виробник | Виробник | Vishay/General Semiconductor | Vishay/General Semiconductor | Comchip Technology |
Зворотна напруга | UR | <600 В | ||
Прямий струм | IF | <500 мА | <500 мА | <800 мА |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | Поверхневий | Поверхневий |
Технологія діода | Технологія | Single Phase | ||
Клас швидкості діода | Швидкість | Standard Recovery >500ns | ||