B10

B10, B10S-G

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрB10S-G
Корпус мікросхеми
Корпус
MBS-1, 4-SOIC
Виробник
Виробник
Comchip Technology
Зворотна напруга
UR
<1 кВ
Прямий струм
IF
<800 мА
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Технологія діода
Технологія
Single Phase
Клас швидкості діода
Швидкість
Standard Recovery >500ns