На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | MMBD354LT1 | MMBD354LT1G | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | |
Виробник | Виробник | ON Semiconductor | |
Зворотна напруга | UR | <7 В | |
Зворотна імпульсна напруга | UR-i | ||
Ємність діоду | CD | 1 пФ | |
Технологія діода | Технологія | Schottky - 1 Pair Common Cathode | |
Потужність | P | <225 мВт | |