MMBD353LT1G

MMBD353, MMBD353LT1, MMBD353LT1G

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрMMBD353LT1MMBD353LT1G
Корпус мікросхеми
Корпус
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Виробник
Виробник
ON Semiconductor
Зворотна напруга
UR
<7 В
Зворотна імпульсна напруга
UR-i
Ємність діоду
CD
1 пФ
Потужність
P
<225 мВт