На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | HSMS-286L-BLKG | HSMS-286L-TR1G | HSMS-286L-TR2G | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | ||
Виробник | Виробник | Avago Technologies US Inc. | ||
Зворотна напруга | UR | <4 В | ||
Зворотна імпульсна напруга | UR-i | |||
Ємність діоду | CD | 0.25 пФ | ||
Технологія діода | Технологія | Schottky - 3 Independent | ||