На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | HBAT-5402-TR1 | HBAT-5402-TR1G | HBAT-5402-TR2G | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | ||
Виробник | Виробник | Avago Technologies US Inc. | ||
Зворотна напруга | UR | <30 В | ||
Прямий струм | IF | <220 мА | ||
Зворотна імпульсна напруга | UR-i | |||
Ємність діоду | CD | 3 пФ | ||
Потужність | P | <250 мВт | ||
Опір | R | 2.4 ОмIf, F = 100mA, 1MHz | ||