На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BAR90-02LRHE6327 | BAR90-02LSE6327 | BAR90-07LRHE6327 | BAR90-081LSE6327 | BAR90-098L4E6327 | BAR90-098LRHE6327 | BAR90-099LRHE6327 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TSLP-2-7 | TSSLP-2 | TSLP-4-7 | TSLP-4-7 | TSLP-4-7 | TSLP-4-7 | |
Виробник | Виробник | Infineon Technologies | ||||||
Зворотна напруга | UR | <80 В | ||||||
Прямий струм | IF | <100 мА | ||||||
Зворотна імпульсна напруга | UR-i | |||||||
Ємність діоду | CD | 0.35 пФ | ||||||
Технологія діода | Технологія | PIN - Single | PIN - Single | PIN - 2 Independent | PIN - 4 Independent | PIN - 2 Independent | PIN - 2 Independent | PIN - 2 Independent |
Потужність | P | <250 мВт | <150 мВт | <250 мВт | <150 мВт | <250 мВт | <250 мВт | <250 мВт |
Опір | R | 800 мОмIf, F = 10mA, 100MHz | ||||||