BAP51-02,115

BAP51, BAP51-02,115, BAP51-03,115, BAP51-04W,115, BAP51-05W,115, BAP51L,315, BAP51LX,315

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрBAP51-02,115BAP51-03,115BAP51-04W,115BAP51-05W,115BAP51L,315BAP51LX,315
Корпус мікросхеми
Корпус
SC-79, SOD-523SC-76, SOD-323, UMD2SC-70-3, SOT-323-3SC-70-3, SOT-323-3SOD-882SOD-882
Виробник
Виробник
NXP Semiconductors
Зворотна напруга
UR
<60 В<50 В<50 В<50 В<60 В<60 В
Прямий струм
IF
<50 мА<50 мА<50 мА<50 мА<100 мА<100 мА
Зворотна імпульсна напруга
UR-i
Ємність діоду
CD
0.35 пФ0.35 пФ0.35 пФ0.35 пФ0.3 пФ0.3 пФ
Технологія діода
Технологія
PIN - SinglePIN - Single(не задано)(не задано)PIN - SinglePIN - Single
Потужність
P
<715 мВт<500 мВт<240 мВт<240 мВт<500 мВт<140 мВт
Опір
R
2.5 ОмIf, F = 10mA, 100MHz2.5 ОмIf, F = 10mA, 100MHz2.5 ОмIf, F = 10mA, 100MHz2.5 ОмIf, F = 10mA, 100MHz1.5 ОмIf, F = 100mA, 100MHz1.5 ОмIf, F = 100mA, 100MHz