На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BA779E6327 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23 |
Виробник | Виробник | Infineon Technologies |
Зворотна напруга | UR | <50 В |
Прямий струм | IF | <50 мА |
Зворотна імпульсна напруга | UR-i | |
Ємність діоду | CD | 0.6 пФ |
Технологія діода | Технологія | PIN - Single |
Опір | R | 7 ОмIf, F = 10mA, 100MHz |