1SS351-TB-E

1SS351, 1SS351-TB-E

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

Параметр1SS351-TB-E
Виробник
Виробник
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
Зворотна напруга
UR
<5 В
Прямий струм
IF
<30 мА
Зворотна імпульсна напруга
UR-i
Ємність діоду
CD
0.9 пФ