На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | VB30100S-E3/4W | VB30100S-E3/8W | VB30100SG-E3/4W | VB30100SG-E3/8W | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | |||
Виробник | Виробник | Vishay/General Semiconductor | |||
Пряма напруга | UF | 910 мВI = 30A | 910 мВI = 30A | 1 ВI = 30A | 1 ВI = 30A |
Зворотна напруга | UR | <100 В | |||
Прямий струм | IF | <30 А | |||
Зворотний струм | IR | 1 мАU = 100V | 1 мАU = 100V | 350 мкАU = 100V | 350 мкАU = 100V |
Частота | f | ||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||
Технологія діода | Технологія | Schottky | |||
Клас швидкості діода | Швидкість | Fast Recovery | |||