На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | US1M/1 | US1M-13 | US1M-13-F | US1M-E3/5AT | US1M-E3/61T | US1MHE3/5AT | US1MHE3/61T | US1M-TP | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DO-214AC, SMA | |||||||
Виробник | Виробник | Vishay/General Semiconductor | Diodes Inc | Diodes Inc | Vishay/General Semiconductor | Vishay/General Semiconductor | Vishay/General Semiconductor | Vishay/General Semiconductor | Micro Commercial Co |
Пряма напруга | UF | 1.7 ВI = 1A | |||||||
Зворотна напруга | UR | <1 кВ | |||||||
Прямий струм | IF | <1 А | |||||||
Зворотний струм | IR | 10 мкАU = 1000V | 5 мкАU = 1000V | 5 мкАU = 1000V | 10 мкАU = 1000V | 10 мкАU = 1000V | 10 мкАU = 1000V | 10 мкАU = 1000V | 10 мкАU = 1000V |
Частота | f | ||||||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||||||
Ємність діоду | CD | (не задано) | 10 пФ | 10 пФ | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) |
Тривалість періоду відновлення | tREC | 75 нс | 75 нс | 75 нс | 75 нс | 75 нс | 75 нс | 75 нс | 100 нс |
Технологія діода | Технологія | Стандарт | |||||||
Клас швидкості діода | Швидкість | Fast Recovery | |||||||