На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | US1G/1 | US1G-13 | US1G-13-F | US1G-E3/5AT | US1G-E3/61T | US1GHE3/5AT | US1GHE3/61T | US1G-TP | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DO-214AC, SMA | |||||||
Виробник | Виробник | Vishay/General Semiconductor | Diodes Inc | Diodes Inc | Vishay/General Semiconductor | Vishay/General Semiconductor | Vishay/General Semiconductor | Vishay/General Semiconductor | Micro Commercial Co |
Пряма напруга | UF | 1 ВI = 1A | 1.3 ВI = 1A | 1.3 ВI = 1A | 1 ВI = 1A | 1 ВI = 1A | 1 ВI = 1A | 1 ВI = 1A | 1.4 ВI = 1A |
Зворотна напруга | UR | <400 В | |||||||
Прямий струм | IF | <1 А | |||||||
Зворотний струм | IR | 10 мкАU = 400V | 5 мкАU = 400V | 5 мкАU = 400V | 10 мкАU = 400V | 10 мкАU = 400V | 10 мкАU = 400V | 10 мкАU = 400V | 10 мкАU = 400V |
Частота | f | ||||||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||||||
Ємність діоду | CD | (не задано) | 20 пФ | 20 пФ | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) |
Тривалість періоду відновлення | tREC | 50 нс | |||||||
Технологія діода | Технологія | Стандарт | |||||||
Клас швидкості діода | Швидкість | Fast Recovery | |||||||