На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | UGB8HT-E3/81 | UGB8HTHE3/45 | UGB8HTHE3/81 | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | ||
Виробник | Виробник | Vishay/General Semiconductor | ||
Пряма напруга | UF | 1.75 ВI = 8A | ||
Зворотна напруга | UR | <500 В | ||
Прямий струм | IF | <8 А | ||
Зворотний струм | IR | 30 мкАU = 500V | ||
Частота | f | |||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||
Тривалість періоду відновлення | tREC | 50 нс | ||
Технологія діода | Технологія | Стандарт | ||
Клас швидкості діода | Швидкість | Fast Recovery | ||