На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | UGB15JT-E3/81 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) |
Виробник | Виробник | Vishay/General Semiconductor |
Пряма напруга | UF | 1.75 ВI = 15A |
Зворотна напруга | UR | <600 В |
Прямий струм | IF | <15 А |
Зворотний струм | IR | 30 мкАU = 600V |
Частота | f | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Тривалість періоду відновлення | tREC | 50 нс |
Технологія діода | Технологія | Стандарт |
Клас швидкості діода | Швидкість | Fast Recovery |