На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | SIDC24D30SIC3 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | Wafer |
Виробник | Виробник | Infineon Technologies |
Пряма напруга | UF | 1.7 ВI = 10A |
Зворотна напруга | UR | <300 В |
Прямий струм | IF | <10 А |
Зворотний струм | IR | 200 мкАU = 300V |
Частота | f | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Ємність діоду | CD | 600 пФ |
Тривалість періоду відновлення | tREC | |
Технологія діода | Технологія | Silicon Carbide |
Клас швидкості діода | Швидкість | No Recovery Time > 500mA (Io) |