На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | SIDC09D60E6 | SIDC09D60E6 UNSAWN | SIDC09D60E6Y | SIDC09D60F6 | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | Wafer | |||
Виробник | Виробник | Infineon Technologies | |||
Пряма напруга | UF | 1.7 ВI = 20A | 1.7 ВI = 20A | 1.7 ВI = 20A | 1.45 ВI = 30A |
Зворотна напруга | UR | <600 В | |||
Прямий струм | IF | <20 А | <20 А | <20 А | <30 А |
Зворотний струм | IR | 27 мкАU = 600V | |||
Частота | f | ||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||
Тривалість періоду відновлення | tREC | 150 нс | 150 нс | 150 нс | 126 нс |
Технологія діода | Технологія | Стандарт | |||
Клас швидкості діода | Швидкість | Fast Recovery | |||