На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | SIDC02D60C6 | SIDC02D60F6 | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | Wafer | |
Виробник | Виробник | Infineon Technologies | |
Пряма напруга | UF | 1.95 ВI = 6A | 1.45 ВI = 3A |
Зворотна напруга | UR | <600 В | |
Прямий струм | IF | <6 А | <3 А |
Зворотний струм | IR | 27 мкАU = 600V | |
Частота | f | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Тривалість періоду відновлення | tREC | (не задано) | 62 нс |
Технологія діода | Технологія | Стандарт | |
Клас швидкості діода | Швидкість | Standard Recovery >500ns | Fast Recovery |