На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | SDT10S30 | SDT10S60 | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-220AC | TO-220-2 |
Виробник | Виробник | Infineon Technologies | |
Пряма напруга | UF | 1.7 ВI = 10A | |
Зворотна напруга | UR | <300 В | <600 В |
Прямий струм | IF | <10 А | |
Зворотний струм | IR | 200 мкАU = 300V | 350 мкАU = 600V |
Частота | f | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | |
Ємність діоду | CD | 600 пФ | 350 пФ |
Тривалість періоду відновлення | tREC | ||
Технологія діода | Технологія | Silicon Carbide | |
Клас швидкості діода | Швидкість | No Recovery Time > 500mA (Io) | |
Серія діодів | Серія | thinQ!™ | |