На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | SBR02M30LP-7 | SBR02U100LP-7 | SBR02U30LP-7 | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 2-DFN | ||
Виробник | Виробник | Diodes Inc | ||
Пряма напруга | UF | 610 мВI = 200mA | 800 мВI = 200mA | 480 мВI = 200mA |
Зворотна напруга | UR | <30 В | <100 В | <30 В |
Прямий струм | IF | <200 мА | <250 мА | <200 мА |
Зворотний струм | IR | 500 нАU = 30V | 1 мкАU = 75V | 50 мкАU = 30V |
Частота | f | |||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | (не задано) | Поверхневий | (не задано) |
Технологія діода | Технологія | Schottky | ||
Клас швидкості діода | Швидкість | Small Signal =< 200ma | Fast Recovery | Small Signal =< 200ma |
Серія діодів | Серія | SBR® | ||