На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | SBLB10L25-E3/81 | SBLB10L25HE3/81 | SBLB10L30-E3/45 | SBLB10L30-E3/81 | SBLB10L30HE3/45 | SBLB10L30HE3/81 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | |||||
Виробник | Виробник | Vishay/General Semiconductor | |||||
Пряма напруга | UF | 460 мВI = 10A | 460 мВI = 10A | 520 мВI = 10A | 520 мВI = 10A | 520 мВI = 10A | 520 мВI = 10A |
Зворотна напруга | UR | <25 В | <25 В | <30 В | <30 В | <30 В | <30 В |
Прямий струм | IF | <10 А | |||||
Зворотний струм | IR | 800 мкАU = 25V | 800 мкАU = 25V | 1 мАU = 30V | 1 мАU = 30V | 1 мАU = 30V | 1 мАU = 30V |
Частота | f | ||||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||||
Технологія діода | Технологія | Schottky | |||||
Клас швидкості діода | Швидкість | Fast Recovery | |||||