S4PB-M3/86A

S4P, S4PBHM3/86A, S4PBHM3/87A, S4PB-M3/86A, S4PB-M3/87A, S4PDHM3/86A, S4PDHM3/87A, S4PD-M3/86A, S4PD-M3/87A, S4PGHM3/86A, S4PGHM3/87A, S4PG-M3/86A, S4PG-M3/87A, S4PJHM3/86A, S4PJHM3/87A, S4PJ-M3/86A, S4PJ-M3/87A, S4PKHM3/86A, S4PKHM3/87A, S4PK-M3/86A, S4PK-M3/87A, S4PMHM3/86A, S4PMHM3/87A, S4PM-M3/86A, S4PM-M3/87A

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрS4PBHM3/86AS4PBHM3/87AS4PB-M3/86AS4PB-M3/87AS4PDHM3/86AS4PDHM3/87AS4PD-M3/86AS4PD-M3/87AS4PGHM3/86AS4PGHM3/87AS4PG-M3/86AS4PG-M3/87AS4PJHM3/86AS4PJHM3/87AS4PJ-M3/86AS4PJ-M3/87AS4PKHM3/86AS4PKHM3/87AS4PK-M3/86AS4PK-M3/87AS4PMHM3/86AS4PMHM3/87AS4PM-M3/86AS4PM-M3/87A
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-277A (SMPC)
Виробник
Виробник
Vishay/General Semiconductor
Пряма напруга
UF
1.1 ВI = 4A
Зворотна напруга
UR
<100 В<100 В<100 В<100 В<200 В<200 В<200 В<200 В<400 В<400 В<400 В<400 В<600 В<600 В<600 В<600 В<800 В<800 В<800 В<800 В<1 кВ<1 кВ<1 кВ<1 кВ
Прямий струм
IF
<4 А
Зворотний струм
IR
10 мкАU = 100V10 мкАU = 100V10 мкАU = 100V10 мкАU = 100V10 мкАU = 200V10 мкАU = 200V10 мкАU = 200V10 мкАU = 200V10 мкАU = 400V10 мкАU = 400V10 мкАU = 400V10 мкАU = 400V10 мкАU = 600V10 мкАU = 600V10 мкАU = 600V10 мкАU = 600V10 мкАU = 800V10 мкАU = 800V10 мкАU = 800V10 мкАU = 800V10 мкАU = 1000V10 мкАU = 1000V10 мкАU = 1000V10 мкАU = 1000V
Частота
f
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Тривалість періоду відновлення
tREC
2.5 мкс
Технологія діода
Технологія
Стандарт
Клас швидкості діода
Швидкість
Standard Recovery >500ns
Серія діодів
Серія
eSMP™