На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | RGP25B-E3/54 | RGP25BHE3/54 | RGP25K-E3/54 | RGP25KHE3/54 | RGP25M-E3/54 | RGP25MHE3/54 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DO-201AD, Axial | |||||
Виробник | Виробник | Vishay/General Semiconductor | |||||
Пряма напруга | UF | 1.3 ВI = 2.5A | |||||
Зворотна напруга | UR | <100 В | <100 В | <800 В | <800 В | <1 кВ | <1 кВ |
Прямий струм | IF | <2.5 А | |||||
Зворотний струм | IR | 5 мкАU = 100V | 5 мкАU = 100V | 5 мкАU = 800V | 5 мкАU = 800V | 5 мкАU = 1000V | 5 мкАU = 1000V |
Частота | f | ||||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | |||||
Тривалість періоду відновлення | tREC | 150 нс | 150 нс | 500 нс | 500 нс | 500 нс | 500 нс |
Технологія діода | Технологія | Стандарт | |||||
Клас швидкості діода | Швидкість | Fast Recovery | |||||