RB520G-30-TP

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметр		RB520CS-30T2R	RB520G-30T2R	RB520G-30-TP	RB520S30	RB520S30T1	RB520S30T1G	RB520S-30TE61	RB520S-30-TP	RB520S-40TE61	RB520S-40-TP	RB520ZS-30T2R
Виробник	Виробник	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor	Micro Commercial Co	Fairchild Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	Rohm Semiconductor	Micro Commercial Co	Rohm Semiconductor	Micro Commercial Co	Rohm Semiconductor
Пряма напруга	U_F	450 мВI = 10mA	450 мВI = 10mA	450 мВI = 10mA	600 мВI = 200mA	600 мВI = 200mA	600 мВI = 200mA	600 мВI = 200mA	600 мВI = 200mA	550 мВI = 100mA	550 мВI = 100mA	460 мВI = 10mA
Зворотна напруга	U_R	<30 В	<30 В	<30 В	<30 В	<30 В	<30 В	<30 В	<30 В	<40 В	<40 В	<30 В
Прямий струм	I_F	<100 мА	<100 мА	<100 мА	<200 мА	<200 мА	<200 мА	<200 мА	<200 мА	<200 мА	<200 мА	<100 мА
Зворотний струм	I_R	500 нАU = 10V	500 нАU = 10V	500 нАU = 10V	1 мкАU = 10V	1 мкАU = 10V	1 мкАU = 10V	1 мкАU = 10V	1 мкАU = 10V	10 мкАU = 40V	10 мкАU = 40V	300 нАU = 10V
Частота	f
Технологія діода	Технологія	Schottky
Клас швидкості діода	Швидкість	Small Signal =< 200ma