PMEG3010

PMEG3010, PMEG3010BEA,115, PMEG3010BEP,115, PMEG3010BER,115, PMEG3010BEV,115, PMEG3010CEH,115, PMEG3010CEJ,115, PMEG3010EB,115, PMEG3010EH,115, PMEG3010EJ,115, PMEG3010EP,115, PMEG3010ER,115, PMEG3010ET,215

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрPMEG3010BEA,115PMEG3010BEP,115PMEG3010BER,115PMEG3010BEV,115PMEG3010CEH,115PMEG3010CEJ,115PMEG3010EB,115PMEG3010EH,115PMEG3010EJ,115PMEG3010EP,115PMEG3010ER,115PMEG3010ET,215
Корпус мікросхеми
Корпус
SC-76, SOD-323, UMD2SOD-128 Flat LeadsSOD-123 Flat LeadsSS Mini-6 (SOT-666)SOD-123 Flat LeadsSC-90, SOD-323FSC-79, SOD-523SOD-123 Flat LeadsSC-90, SOD-323FSOD-128 Flat LeadsSOD-123 Flat LeadsSOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Виробник
Виробник
NXP Semiconductors
Пряма напруга
UF
560 мВI = 1A450 мВI = 1A450 мВI = 1A560 мВI = 1A520 мВI = 1A520 мВI = 1A560 мВI = 1A560 мВI = 1A560 мВI = 1A360 мВI = 1A360 мВI = 1A560 мВI = 1A
Зворотна напруга
UR
<30 В
Прямий струм
IF
<1 А
Зворотний струм
IR
150 мкАU = 30V50 мкАU = 30V50 мкАU = 30V150 мкАU = 30V50 мкАU = 30V50 мкАU = 30V150 мкАU = 30V150 мкАU = 30V150 мкАU = 30V1.5 мАU = 30V1.5 мАU = 30V150 мкАU = 30V
Частота
f
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Ємність діоду
CD
70 пФ170 пФ170 пФ70 пФ100 пФ100 пФ70 пФ70 пФ70 пФ170 пФ170 пФ70 пФ
Технологія діода
Технологія
Schottky
Клас швидкості діода
Швидкість
Fast Recovery