На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | PMEG2010AEB,115 | PMEG2010AEH,115 | PMEG2010AEJ,115 | PMEG2010AEK,115 | PMEG2010AET,215 | PMEG2010BEA,115 | PMEG2010BER,115 | PMEG2010BEV,115 | PMEG2010EA,115 | PMEG2010EH,115 | PMEG2010EJ,115 | PMEG2010ER,115 | PMEG2010ET,215 | PMEG2010EV,115 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SC-79, SOD-523 | SOD-123 Flat Leads | SC-90, SOD-323F | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SC-76, SOD-323, UMD2 | SOD-123 Flat Leads | SS Mini-6 (SOT-666) | SC-76, SOD-323, UMD2 | SOD-123 Flat Leads | SC-90, SOD-323F | SOD-123 Flat Leads | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SS Mini-6 (SOT-666) |
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors | |||||||||||||
Пряма напруга | UF | 620 мВI = 1A | 430 мВI = 1A | 550 мВI = 1A | 450 мВI = 1A | 430 мВI = 1A | 500 мВI = 1A | 450 мВI = 1A | 500 мВI = 1A | 500 мВI = 1A | 500 мВI = 1A | 500 мВI = 1A | 340 мВI = 1A | 500 мВI = 1A | 500 мВI = 1A |
Зворотна напруга | UR | <20 В | |||||||||||||
Прямий струм | IF | <1 А | |||||||||||||
Зворотний струм | IR | 1.5 мАU = 20V | 200 мкАU = 20V | 70 мкАU = 20V | 200 мкАU = 20V | 200 мкАU = 20V | 200 мкАU = 20V | 50 мкАU = 20V | 200 мкАU = 20V | 200 мкАU = 20V | 200 мкАU = 20V | 200 мкАU = 20V | 1 мАU = 20V | 200 мкАU = 20V | 200 мкАU = 20V |
Частота | f | ||||||||||||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||||||||||||
Ємність діоду | CD | 25 пФ | 70 пФ | 50 пФ | 70 пФ | 70 пФ | 80 пФ | 67 пФ | 80 пФ | 80 пФ | 80 пФ | 80 пФ | 175 пФ | 80 пФ | 80 пФ |
Технологія діода | Технологія | Schottky | |||||||||||||
Клас швидкості діода | Швидкість | Fast Recovery | |||||||||||||