На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | PMBD6050,215 | PMBD6050,235 | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | |
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors | |
Пряма напруга | UF | 1.25 ВI = 150mA | |
Зворотна напруга | UR | <70 В | |
Прямий струм | IF | <215 мА | |
Зворотний струм | IR | 100 нАU = 50V | |
Частота | f | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Ємність діоду | CD | 1.5 пФ | |
Тривалість періоду відновлення | tREC | 4 нс | |
Технологія діода | Технологія | Стандарт | |
Клас швидкості діода | Швидкість | Fast Recovery | |