На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | PDS4200H-13 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | PowerDI™ 5 |
Виробник | Виробник | Diodes Inc |
Пряма напруга | UF | 840 мВI = 4A |
Зворотна напруга | UR | <200 В |
Прямий струм | IF | <4 А |
Зворотний струм | IR | 1 мкАU = 200V |
Частота | f | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Тривалість періоду відновлення | tREC | 25 нс |
Технологія діода | Технологія | Schottky |
Клас швидкості діода | Швидкість | Fast Recovery |