NSB8

NSB8, NSB8AT-E3/45, NSB8AT-E3/81, NSB8ATHE3/45, NSB8ATHE3/81, NSB8BT-E3/45, NSB8BT-E3/81, NSB8BTHE3/45, NSB8BTHE3/81, NSB8DT-E3/45, NSB8DT-E3/81, NSB8DTHE3/45, NSB8DTHE3/81, NSB8GT-E3/81, NSB8GTHE3/45, NSB8GTHE3/81, NSB8JT-E3/45, NSB8JT-E3/81, NSB8JTHE3/45, NSB8JTHE3/81, NSB8KT-E3/45, NSB8KT-E3/81, NSB8KTHE3/45, NSB8KTHE3/81, NSB8MT-E3/45, NSB8MT-E3/81, NSB8MTHE3/45, NSB8MTHE3/81

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрNSB8AT-E3/45NSB8AT-E3/81NSB8ATHE3/45NSB8ATHE3/81NSB8BT-E3/45NSB8BT-E3/81NSB8BTHE3/45NSB8BTHE3/81NSB8DT-E3/45NSB8DT-E3/81NSB8DTHE3/45NSB8DTHE3/81NSB8GT-E3/81NSB8GTHE3/45NSB8GTHE3/81NSB8JT-E3/45NSB8JT-E3/81NSB8JTHE3/45NSB8JTHE3/81NSB8KT-E3/45NSB8KT-E3/81NSB8KTHE3/45NSB8KTHE3/81NSB8MT-E3/45NSB8MT-E3/81NSB8MTHE3/45NSB8MTHE3/81
Корпус мікросхеми
Корпус
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Виробник
Виробник
Vishay/General Semiconductor
Пряма напруга
UF
1.1 ВI = 8A
Зворотна напруга
UR
<50 В<50 В<50 В<50 В<100 В<100 В<100 В<100 В<200 В<200 В<200 В<200 В<400 В<400 В<400 В<600 В<600 В<600 В<600 В<800 В<800 В<800 В<800 В<1 кВ<1 кВ<1 кВ<1 кВ
Прямий струм
IF
<8 А
Зворотний струм
IR
10 мкАU = 50V10 мкАU = 50V10 мкАU = 50V10 мкАU = 50V10 мкАU = 100V10 мкАU = 100V10 мкАU = 100V10 мкАU = 100V10 мкАU = 200V10 мкАU = 200V10 мкАU = 200V10 мкАU = 200V10 мкАU = 400V10 мкАU = 400V10 мкАU = 400V10 мкАU = 600V10 мкАU = 600V10 мкАU = 600V10 мкАU = 600V10 мкАU = 800V10 мкАU = 800V10 мкАU = 800V10 мкАU = 800V10 мкАU = 1000V10 мкАU = 1000V10 мкАU = 1000V10 мкАU = 1000V
Частота
f
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Технологія діода
Технологія
Стандарт
Клас швидкості діода
Швидкість
Standard Recovery >500ns